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P7NK80 PTH - Mosfet de Potência Canal N

Data de lançamento: 27/04/2021
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Descrição Geral

P7NK80 - MOSFET de Potência

O que é um Mosfet de Potência:

O Mosfet de Potência também chamado de transistor e efeito de campo é um dispositivo controlado por tensão e que requer apenas uma pequena corrente de entrada.. Ele é classificado como um grande amplificador de tensão, sendo capaz de atuar permitindo que um sinal elétrico de intensidade inferior se transforme em um sinal elétrico de grande intensidade, além de responder com precisão na interrupção de sinais e/ou atuar como retificador elétrico em circuitos.

Na eletrônica de potência o transistor MOSFET opera majoritariamente como interruptor, fazendo com que em algumas situações conduza e em outras situações bloqueie a circulação da corrente. Ele permite por meio do seu terminal Gate, o controle do momento exato de condução e o momento de bloqueio.

 

Especificações técnicas P7NK80 - MOSFET de Potência:

  • Tensão Máxima entre Dreno e Fonte VDS: 800V
  • Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on): 1.5Ω
  • Corrente Máxima do Dreno ID: 5.2A (TC=25°C)
  • Temperatura de Operação: -55°C a 150°C

 

Modelo

Encapsulamento

Tensão Máxima entre Dreno e Fonte VDSS

Corrente de Fuga entre Dreno e Fonte IDSS (DATASHEET)

Corrente de Fuga entre Dreno e Fonte IDSS (TESTE)

Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on)  (DATASHEET)

Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on)  (TESTE)


P7NK80

Lote: GK19G

TO-220FP

800V

1µA (VDS = 800V, VGS = 0V) 50µA (VDS = 800, VGS = 0V, TJ = 125°C)

 0,4µA (Corrente de Fuga insignificante)

1.5Ω à 1.8Ω (VGS= 10V, ID= 2,6A)

0,88Ω

Quaisquer trocas e/ou devoluções só serão aceitas com o lote devidamente comprovado por meio de registro fotográfico encaminhado para vendas1@eletrodex.net.

 

Condições utilizadas para aprovação dos Mosfets:

  • A tensão máxima VDSS aplicada segue fielmente o valor especificado pelo Datasheet e sob esse valor é efetuado o teste de tensão máxima suportada. Com a resposta da corrente presente no teste, é realizado o cálculo de corrente de fuga IDSS, sendo o Mosfet aprovado se a corrente resultar próximo a 0A conforme especificado no Datasheet.
  • O RDS(on) esperado na condição de teste deve ser menor, igual ou levemente acima que o RDS(on) especificado no Datasheet.
Ficha técnica
Código M2J1B09-B
Estoque 1
Categoria MOSFET's
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