IRFD110 PTH - Transistor Mosfet de Potência Canal N
Data de lançamento: 27/04/2021
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- Calcular freteDescrição Geral
Transistor Mosfet de Potência com encapsulamento HEXDIP
Especificações:
- Encapsulamento: G-TO220
- Tensão Máxima de Ruptura entre o Dreno e Fonte VDS: 100V
- Resistência entre Dreno e Fonte rDS(On): 0.54Ω
- Corrente Máxima de Dreno ID:1A
- Temperatura de Operação: -55°C a 150°C
Para maiores informações consulte o Datasheet do Produto.
Ficha técnica
| Código | M2J6J04 |
| Estoque | 64 |
| Categoria | MOSFET's |
Datasheet
