Meu carrinho de compras
Carrinho Vazio
Rastrear minha compra

IRFD110 PTH - Transistor Mosfet de Potência Canal N

Data de lançamento: 27/04/2021
0 Opiniões
/ 60
Simulador de Frete
- Calcular frete
Calcular frete:
Descrição Geral

IRFD110 PTH - Transistor Mosfet de Potência Canal N

Transistor Mosfet de Potência com encapsulamento HEXDIP

 

Especificações:

  • Encapsulamento: G-TO220
  • Tensão Máxima de Ruptura entre o Dreno e Fonte VDS: 100V
  • Resistência entre Dreno e Fonte rDS(On): 0.54Ω
  • Corrente Máxima de Dreno ID:1A
  • Temperatura de Operação: -55°C a 150°C

 

DATASHEET

Clique aqui para acessar o Datasheet: IRFD110

Ficha técnica
Código M2J6J04
Estoque 60
Categoria MOSFET's
Comentários

Deixe seu comentário e sua avaliação







- Máximo de 512 caracteres.

Clique para Avaliar


  • Avaliação:
Enviar
Faça seu login e comente.

Produtos visitados