IRFBXXX - Transistor Mosfet de Potência Canal N
IRFBXXX - Transistor Mosfet de Potência Canal N
O que é um transistor Mosfet?
O Mosfet (metal-óxido-semicondutor de transistor de efeito de campo) é um dispositivo semicondutor responsável por comutar ou amplificar sinais em dispositivos eletrônicos. Os MOSFETs são os transistores mais utilizados na eletrônica moderna, estando presentes em dispositivos que vão desde telefones celulares e relógios digitais até enormes supercomputadores usados para cálculos científicos complexos em campos como climatologia, astronomia e física de partículas.
Todos os produtos desta linha foram devidamente testados de acordo com as especificações contidas no Datasheet e seus resultados estão contidos na tabela abaixo. Quaisquer trocas e/ou devoluções só serão aceitas com o lote devidamente comprovado por meio de registro fotográfico encaminhado para vendas1@eletrodex.net
Especificações dos Transistores Mosfet linha IRFB:
|
Modelo |
Encapsulamento |
Tensão Máxima entre Dreno e Fonte VDSS |
Corrente de Fuga entre Dreno e Fonte IDSS (DATASHEET) |
Corrente de Fuga entre Dreno e Fonte IDSS (TESTE) |
Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on) ? (DATASHEET) |
Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on) (TESTE) |
|
IRFBC40 Lote: Y43K |
TO-220 |
600V |
1µA (VDS = 600V, VGS = 0V) 50µA (VDS = 600, VGS = 0V, TJ = 125°C) |
0,4 µA (Corrente de Fuga insignificante) |
1.2 (VGS= 10V, ID= 3.7A) |
0.52 |
|
IRFB3077 Lote: P420Y |
TO-220C |
75V |
20µA (VDS = 75V, VGS = 0V), TJ = 125°C) |
0,7 µA (Corrente de Fuga insignificante) |
3.3m (VGS= 10V, ID= 75A) |
5m |
|
IRFB3207 Lote: P204J |
TO-220AB |
75V |
20µA (VDS = 75V, VGS = 0V) 250µA (VDS = 75, VGS = 0V, TJ = 125°C) |
0,1 µA (Corrente de Fuga insignificante) |
3.6m à 4.5m (VGS= 10V, ID= 75A) |
2.8m |
|
IRFB3307 |
TO-220AB |
75V |
20µA (VDS = 75V, VGS = 0V) 250µA (VDS = 75, VGS = 0V, TJ = 125°C) |
|
5.0m à 6.3 m (VGS= 10V, ID= 75A) |
|
|
IRFB4227 |
TO-220C |
200V |
20µA (VDS = 200V, VGS = 0V) |
|
24m (VGS= 10V, ID= 46A) |
|
|
IRFB4310 |
TO-220AB |
100V |
20µA (VDS = 100V, VGS = 0V) 250µA (VDS = 100, VGS = 0V, TJ = 125°C) |
|
5.6m à 7.0 m (VGS= 10V, ID= 75A) |
|
|
IRFB4332 |
TO-220AB |
250V |
20µA (VDS = 250V, VGS = 0V) |
|
33 m (VGS= 10V, ID= 35A) |
|
|
IRFB52N15 |
TO-220AB |
150V |
25µA (VDS = 150V, VGS = 0V) 250µA (VDS = 120, VGS = 0V, TJ = 150°C) |
|
0.032 (VGS= 10V, ID= 36A) |
|
|
IRFBE30PBF LOTE: 113P |
TO-220 |
800V |
100µA (VDS = 800V, VGS = 0V) à 500µA (VDS = 640V, VGS = 0V, Tj=125°C) |
0,4 µA (Corrente de Fuga insignificante) |
3.0 (VGS= 10V, ID= 2.5A) |
1.56 |
|
IRFBE30PBF LOTE:1013J |
TO-220 |
800V |
100µA (VDS = 800V, VGS = 0V) à 500µA (VDS = 640V, VGS = 0V, Tj=125°C) |
0,4 µA (Corrente de Fuga insignificante) |
3.0(VGS= 10V, ID= 2.5A) |
1.25 |
Condições utilizadas para aprovação dos Mosfets:
- A tensão máxima VDSS aplicada segue fielmente o valor especificado pelo Datasheet e sob esse valor é efetuado o teste de tensão máxima suportada. Com a resposta da corrente presente no teste, é realizado o cálculo de corrente de fuga IDSS, sendo o Mosfet aprovado se a corrente resultar próximo a 0A conforme especificado no Datasheet.
- O RDS(on) esperado na condição de teste deve ser menor, igual ou levemente acima que o RDS(on) especificado no Datasheet.
Para maiores informações, acesse o Datasheet do Produto.
Confira todos os produtos da categoria Transistores Mosfet clicando aqui!
| Código | IRFBXXX |
| Estoque | 91 |
| Categoria | MOSFET's |
