IRGB4062D PTH - Transistor bipolar
Data de lançamento: 25/08/2021
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- Calcular freteDescrição Geral
IRGB4062D - Transistor bipolar Canal N, com gate isolado e diodo recuperação ultra rápido
Características:
- Baixas perdas de comutação
- Temperatura máxima de junção 175°C
- Coeficiente de temperatura Positivo VCE(ON)
- Diodo Co-Pak de recuperação ultra-rápida e suave
- Adequado para uma ampla gama de frequências de comutação devido ao Baixo VCE(ON) e perdas de comutação baixas
Especificações:
- Tensão Máxima Coletor-Emissor VCES: 600V (Com emissor aberto)
- Tensão Máxima Gate-Emissor VGE: ± 20
- Tensão de Saturação Coletor-Emissor VCE(SAT): 1,6V à 1,95V (IC =24A, VGE =15V, TJ = 25°C)
- Corrente Máxima Contínua de Coletor Ic: 48A (TC = 25°C)
- Potência Máxima Dissipada PD: 250W (TC = 25°C)
- Temperatura de junção e armazenamento TJ, Tstg: -55°C a 175°C
- Tensão de Operação Recomendada: 25°C
Para maiores informações acesse o Datasheet do Produto
Ficha técnica
Código | M2J6K12 |
Estoque | 7 |
Categoria | Uso Geral |
Datasheet