IRGB4062D PTH - Transistor bipolar

IRGB4062D - Transistor bipolar Canal N,  com gate isolado e diodo recuperação ultra rápido

Características:

• Baixas perdas de comutação
• Temperatura máxima de junção 175°C
• Coeficiente de temperatura Positivo V_CE(ON) 
• Diodo Co-Pak de recuperação ultra-rápida e suave
• Adequado para uma ampla gama de frequências de comutação devido ao Baixo V_CE(ON) e perdas de comutação baixas

Especificações:

• Tensão Máxima Coletor-Emissor V_CES: 600V  _{(Com emissor aberto)}
• Tensão Máxima Gate-Emissor V_GE: ± 20
• Tensão de Saturação Coletor-Emissor V_CE(SAT): 1,6V à 1,95V _{(IC =24A, VGE =15V, TJ = 25°C)}
• Corrente Máxima Contínua de Coletor Ic: 48A _{(TC = 25°C)}
• Potência Máxima Dissipada P_D: 250W _{(TC = 25°C)}
• Temperatura de junção e armazenamento T_J, T_stg: -55°C a 175°C
• Tensão de Operação Recomendada: 25°C

Para maiores informações acesse o Datasheet do Produto