FDP8440 PTH - Transistor Canal N
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O que é um Mosfet de Potência:
O Mosfet de Potência também chamado de transistor e efeito de campo é um dispositivo controlado por tensão e que requer apenas uma pequena corrente de entrada.. Ele é classificado como um grande amplificador de tensão, sendo capaz de atuar permitindo que um sinal elétrico de intensidade inferior se transforme em um sinal elétrico de grande intensidade, além de responder com precisão na interrupção de sinais e/ou atuar como retificador elétrico em circuitos.
Na eletrônica de potência o transistor MOSFET opera majoritariamente como interruptor, fazendo com que em algumas situações conduza e em outras situações bloqueie a circulação da corrente. Ele permite por meio do seu terminal Gate, o controle do momento exato de condução e o momento de bloqueio.
Especificações Técnicas FDP8440 PTH - Transistor Canal N :
- Encapsulamento: TO-220
- Tensão de Ruptura do Dreno para Fonte BVDSS: 40V
- Condição 1 Resistência Entre Dreno e Fonte RDS(on): 1.88mΩ à 2.4mΩ (VGS=4,5V, ID=80A)
- Condição 2 Resistência Entre Dreno e Fonte RDS(on): 1.64mΩ à 2.2mΩ (VGS=10V, ID=80A)
- Condição 3 Resistência Entre Dreno e Fonte RDS(on): 3mΩ à 4.4mΩ (VGS=10V, ID=80A, TC = 175°C)
- Tensão Limiar do Gate para Fonte VGS(th): 1V a 3V (VDS=VGS, ID=250μA)
- Temperatura de Trabalho: -55°C a 175°C
Modelo |
Encapsulamento |
Tensão Máxima entre Dreno e Fonte VDSS |
Corrente de Fuga entre Dreno e Fonte IDSS (DATASHEET) |
Corrente de Fuga entre Dreno e Fonte IDSS (TESTE) |
Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on) Ω (DATASHEET) |
Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on) Ω (TESTE) |
|
TO-220 |
40V |
1µA (VDS = 32V, VGS = 0V) 250µA (VDS = 23, VGS = 0V, TJ = 175°C) |
|
3mΩ (VGS= 10V, ID= 25A) à 4.4mΩ (VGS= 4V, ID= 80A) |
0,002mΩ |
Quaisquer trocas e/ou devoluções só serão aceitas com o lote devidamente comprovado por meio de registro fotográfico encaminhado para vendas1@eletrodex.net
Condições utilizadas para aprovação dos Mosfets:
- A tensão máxima VDSS aplicada segue fielmente o valor especificado pelo Datasheet e sob esse valor é efetuado o teste de tensão máxima suportada. Com a resposta da corrente presente no teste, é realizado o cálculo de corrente de fuga IDSS, sendo o Mosfet aprovado se a corrente resultar próximo a 0A conforme especificado no Datasheet.
- O RDS(on) esperado na condição de teste deve ser menor, igual ou levemente acima que o RDS(on) especificado no Datasheet.
DATASHEET
Clique aqui para acessar o Datasheet: FDP8440
Código | M2J3C04 |
Estoque | 26 |
Categoria | MOSFET's |