2N7002 SMD - Transistor de Potência Canal N
Data de lançamento: 27/04/2021
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- Calcular freteDescrição Geral
2N7002 SMD - Transistor de Potência Canal N
Transistor de efeito de campo canal N, projetado para pulsos de alta velocidade com aplicações de amplificador e driver
Especificações 2N7002:
- Encapsulamento: SOT-23
- Tensão Máxima entre o Dreno e Fonte VDSS: 60V
- Corrente Contínua Máxima do Dreno ID:115mA
- Resistência entre Dreno e Fonte RDS(on): 1.2Ω (VGS=10V, ID=500mA, Tj=100°C)
- Temperatura de Trabalho: -55°C a 150°C
Para maiores informações acesse o Datahseet do Produto.
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Ficha técnica
| Código | M2I6K11-A |
| Estoque | 1567 |
| Categoria | MOSFET's |
Datasheet
