IGBT K10T60/IKP10N60T PTH - Transistor IGBT
Data de lançamento: 27/04/2021
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Descrição Geral
IGBT K10T60/IKP10N60T PTH - Transistor IGBT
Transistor IGBT com Tecnologia TrechStop e Fieldstop com Diodo EmCon HE anti-paralelo de recuperação rápida.
Especificações:
- Encapsulamento: PG-TO-220
- Tensão do Coletor entr Emissor VCE: 600V
- Corrente DC do Coletor IC: 10A
- Tensão de Saturação entre Coletor e Emissor com Tj=25°C: VCE(sat): 1.5V
- Temperatura Operação Máxima Tj: -40°C a 175°C
Para maiores informações, consulte o Datasheet do Produto.
Ficha técnica
| Código | K10T60 |
| Estoque | 0 |
| Categoria | IGBT's |
Datasheet
